非完整系统Chetaev动力学和vakonomic动力学的等价条件

就一般非完整约束系统，从约束方程满足的变分恒等式出发，利用增广位形流形上的向量场定义三类非自由变分，即非完整变分：vakonomic变分、Hlder变分、Suslov变分，并讨论它们之间的关系以及它们成为自由变分的充要条件.利用非完整变分以及相应的积分变分原理建立两类动力学方程：vakonomic方程和Routh方程或Chaplygin方程.通过vakonomic方程分别与Routh方程和Chaplygin方程比较，得到它们具有共同解的两类充分必要条件.这些条件并不是约束的可积性条件. 关键词： 非完整约束 非完整变分 Chetaev条件 vakonomic动力学     

两种拔尿管方法对膀胱功能损伤的临床观察

为观察两种不同的拔尿管方法对膀胱功能损伤的差异,将80例患者随机分成两组,分别采用改良法(40例)和常规法(40例)拔除留置尿管,分析比较了两组患者排尿顺利率、逼尿肌功能恢复率及尿道刺激症、尿失禁、尿潴留。结果表明,两组患者拔管后上述指标与情况有显著性差异,P<0.05。提示改良组膀胱功能损伤明显低于对照组。改良的拔管方法是一种值得护理推广应用的好方法。     

金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜

对用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属β－二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述，对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍，并对它们的应用前景作了展望。     

PVK∶DBVP掺杂体系的能量转移及发光性质的研究

研究了不同比例的PVK与齐聚PPV衍生物DBVP掺杂体系的能量转移和发光特性.通过对PVK,DBVP及PVK:DBVP掺杂体系的UV-vis,PL和PLE光谱的研究,分析了PVK与DBVP之间的能量转移过程.利用PVK在体系中类似于溶剂的分散作用,制备了结构为ITO/PEDOT/PVK:DBVP/LiF/Al的电致发光器件,研究了掺杂体系的电致发光性能.结果表明,在掺杂体系的光致发光和电致发光中,PVK的发射被有效地抑制,PVK与DBVP之间发生了非常有效的能量转移,通过调节PVK与DBVP的比例,可以获得蓝色和绿色发光,同时可以改善器件的发光性能,当PVK与DBVP的重量比为1∶2时,器件的绿色发光效率达到1·06cd/A,此时发光亮度为52cd/m2.     

光突发交换网络中最长队列优先调度组装机制

提出了光突发交换网络中的最长队列优先调度（LQF-SA）机制，将边缘节点的突发组装和突发调度两种技术紧密结合在一起.在现实网络中，业务通常是非均匀分布的，即在某些源宿对之间存在更大的业务流量.仿真结果表明，LQF-SA机制可以很好地完成非均匀分布业务流的组装.即使在均匀分布业务流输入下，LQF-SA机制在突发大小分布、组装效率和突发丢失率等方面也优于已提出的轮询调度组装（RR-SA）机制.     

基于平均和峰值灰度加权的自动调光系统

介绍了在CCD高速电视测量仪系统中，利用电子快门和可变光阑有机结合，在运动控制卡控制下实现自动调光，扩大了调光的动态范围.采用了平均灰度和峰值灰度加权的办法来获取反馈信号，有效的解决不同背景下自调光系统的适应性.提出了基于二次函数的调光反馈量计算方法，提高了调光过程中的收敛速度，同时也保证了系统有较小的超调量.     

FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究

用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.     

高折射率椭圆芯布拉格光纤的偏振特性

应用带完全匹配层边界条件的全矢量有限元方法,分析了高折射率椭圆芯布拉格光纤的偏振特性,详细讨论了光纤结构参量对模式双折射度以及群速度走离的影响,结果发现:高折射率椭圆芯布拉格光纤的模式双折射度可达10-2量级,比传统保偏光纤至少高出一个量级,并且表现出不同于传统保偏光纤的群速度走离特性;在保持较高双折射度的同时,通过合理的结构设计,可在一定的波长处灵活地获得较大的群速度走离或零走离特性,具有重要的潜在应用价值;最后,简要分析了低折射率区域的折射率变化对偏振特性的影响;研究结果有助于设计高性能的微结构保偏光纤。     

AAS测定纸巾中的铅和镉

本文采用原子吸收光谱法测定纸巾中铅、镉的含量。结果表明，不同纸巾中的污染元素铅、镉的含量不同。同时还对一种纸巾的铅、镉元素进行了回收实验，回收率在92％-104％之间。     

A boosted voltage generator for low-voltage DRAMs

This paper proposes a new two-stage two-phase VPP charge pump configured in such a manner that the body effect and the threshold voltage loss are eliminated. The newly proposed circuit is fabricated using 0.18 μm triple-well CMOS process and the measurement result shows that the VPP level tracks 3VDD when VDD is above the threshold voltage.